MOSFET IRF9Z34N Mới 100%, Transistor Công Suất Kênh P Cho Điều Khiển Tải, Nguồn DC, Thiết Bị Điện Tử Dân Dụng Và Công Nghiệp, linh kiện máy hàn.
• KÊNH P CÔNG SUẤT: IRF9Z34N là MOSFET P-Channel với điện áp Drain Source -55V và dòng tải liên tục -19A, phù hợp các mạch điều khiển nguồn DC và tải công suất trung bình.
• RDS ON THẤP: Điện trở dẫn tối đa chỉ khoảng 0.1Ω tại VGS=-10V giúp giảm tổn hao năng lượng và hạn chế phát nhiệt trong quá trình vận hành.
• ĐÓNG GÓI TO220: Chuẩn TO220 phổ biến, dễ thay thế, dễ lắp đặt và tương thích với nhiều hệ thống tản nhiệt hiện có.
• CHUYỂN MẠCH NHANH: Công nghệ HEXFET hỗ trợ tốc độ đóng cắt tốt, thích hợp cho nguồn switching, bộ điều khiển động cơ DC và mạch bảo vệ nguồn.
• CHỊU NHIỆT CAO: Nhiệt độ mối nối tối đa lên đến 175°C, phù hợp môi trường điện tử công nghiệp và thiết bị hoạt động liên tục.
• ỨNG DỤNG ĐA DẠNG: Thường xuất hiện trong ampli công suất, mạch nguồn DC, bộ điều khiển pin, mạch chống đảo cực, bộ điều khiển động cơ và hệ thống điện tử dân dụng.
Đường dây nóng đặt hàng:
Thứ 2 - 7: 07AM - 06PM
0938 738 240
MOSFET IRF9Z34N là transistor công suất P-Channel thuộc dòng HEXFET nổi tiếng của International Rectifier (nay thuộc Infineon). Linh kiện được thiết kế với điện áp chịu đựng VDS -55V, dòng tải liên tục -19A, công suất tiêu tán khoảng 56W và điện trở dẫn RDS(on) tối đa 0.1Ω. Đây là một trong những MOSFET kênh P TO220 được sử dụng phổ biến trong các mạch điều khiển nguồn DC và thiết bị điện tử công suất vừa và nhỏ.
Qua tổng hợp từ datasheet kỹ thuật, cộng đồng điện tử và kỹ thuật viên sửa chữa thiết bị âm thanh, IRF9Z34N thường được sử dụng trong mạch ampli công suất, bộ nguồn DC, mạch bảo vệ pin, mạch đảo cực nguồn, điều khiển tải công suất và các thiết kế yêu cầu MOSFET kênh P chịu dòng cao. Công nghệ HEXFET giúp cân bằng giữa tốc độ chuyển mạch, độ bền và khả năng chịu quá áp tức thời.
Phân tích đa chiều
80% ưu điểm
- MOSFET kênh P nên phù hợp các thiết kế High Side Switching.
- Dòng tải liên tục lên đến 19A.
- Điện trở dẫn thấp giúp giảm nhiệt lượng sinh ra.
- Đóng gói TO220 dễ thay thế và dễ tìm tản nhiệt.
- Công nghệ HEXFET nổi tiếng về độ ổn định và độ bền lâu dài.
20% điểm người mua thường bỏ qua
- Đây là MOSFET P-Channel nên không thể thay thế trực tiếp cho các MOSFET N-Channel như IRFZ44N, IRF3205 hay 23N50 dù hình dạng bên ngoài tương tự. Đây là lỗi khá phổ biến khi mua linh kiện thay thế.
- Để đạt điện trở dẫn danh định, cần điện áp Gate phù hợp (thường khoảng -10V). Nếu chỉ điều khiển bằng tín hiệu logic thấp, MOSFET có thể không mở hoàn toàn và gây nóng khi tải lớn.
So sánh thực tế
Trong nhóm MOSFET P-Channel TO220, IRF9Z34N được sử dụng rộng rãi nhờ khả năng chịu dòng khá cao và RDS(on) thấp. So với nhiều MOSFET P-Channel đời cũ, IRF9Z34N có ưu thế về độ phổ biến, khả năng thay thế linh hoạt và nguồn datasheet đầy đủ. Tuy nhiên, với các thiết kế mới cần điều khiển trực tiếp từ vi điều khiển 3.3V hoặc 5V, người thiết kế thường cân nhắc thêm các MOSFET logic-level hiện đại hơn để tối ưu hiệu suất.
15 từ khóa chính: IRF9Z34N, MOSFET P Channel, MOSFET 55V 19A, transistor công suất, HEXFET, MOSFET TO220, linh kiện điện tử công suất, điều khiển nguồn DC, high side switch, audio amplifier MOSFET, power MOSFET, mạch bảo vệ pin, điều khiển động cơ DC, nguồn switching, linh kiện sửa chữa điện tử.
Thêm đánh giá của bạn
Địa chỉ email của bạn sẽ không được công bố. Các trường bắt buộc được đánh dấu *
Please login to write review!
Có vẻ như chưa có đánh giá nào.
- Bắt đầu từ: Th05 14, 2026
